廣州潽拓光電科技有限公司--愛(ài)發(fā)科真空泵有油維修;
分子泵常見(jiàn)的故障問(wèn)題:
1、分子泵為何會(huì )發(fā)生半邊熱,半邊冷的現象?
2、分子泵使用中發(fā)現油發(fā)黑,請問(wèn)油為什么會(huì )發(fā)黑?或者多長(cháng)時(shí)間油才會(huì )變黑?
3、分子泵在運轉過(guò)程中,出現頻率從正常下降至一定頻率后又恢復到正常,之后又下降至一定頻率,再恢復到正常,反反復復,更換電源后現象仍如此,請問(wèn)該現象如何解釋?zhuān)?
4、分子泵軸承為什么會(huì )燒毀
5、有防護網(wǎng)保護,為什么還會(huì )有大塊碎玻璃掉入泵內?
6、真空度很好的情況下,分子泵油為何會(huì )返到前級管道?
7、正常使用下,為什么分子泵油池會(huì )出現裂紋或者變形?
8、分子泵中經(jīng)常掉出頂絲、鏍釘等物體,如M5的頂絲等,請問(wèn)是否對分子泵的使用有影響?應如何解決?
9、膠圈口分子泵要用多少卡鉗,怎么使用才安全?
10、變頻器電源在什么情況下會(huì )造成程序丟失或者錯亂?
11、分子泵噪音大如何界定?是否有合格標準,是多少?
12、分子泵是否對冷卻有明確要求?如果風(fēng)冷需要外界溫度是多少?如水冷則對水有何具體要求?如未達到要求會(huì )出現什么后果?
13、分子泵電源存在接地、屏蔽等問(wèn)題,應如何做才是很佳方式?
14、變頻器電源,轉速上升過(guò)程中就自動(dòng)關(guān)機,即顯示“Poff”?
15、分子泵葉片破碎的原因?
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用于氦質(zhì)譜檢漏儀的分子泵的多為抽速60L/s左右的小型泵,對氦氣的壓縮比在1000左右。分子泵的抽速與動(dòng)葉輪的轉速有關(guān),只有動(dòng)葉輪的切向速度與氣體分子的熱運動(dòng)速度相當時(shí)才有抽氣能力,且抽速隨轉速而增,所以抽速在50~150L/s之間的小型分子泵的轉速通常達到90000~40000轉/分。分子泵的另一性能指標是,壓縮比,所謂壓縮比是指分子泵的排氣口壓力與進(jìn)氣口壓力之比,壓縮比于轉速及分子量的關(guān)系是:
Kcxexp[GXu(M)17]式中:G為與葉輪幾何形狀有關(guān)的常數;U為葉輪轉速;M為氣體的分子量??梢?jiàn)分子量大的氣體壓縮比大。氦質(zhì)譜檢漏儀中,逆擴散檢漏正是利用分子泵對小分子量氦氣的低壓縮比,而且,還通過(guò)降低葉輪轉速,降低對He的壓縮比,從而提高對氦氣的響應靈敏度。
改變氦質(zhì)譜檢漏儀的分子泵的轉速,分子泵的壓縮比會(huì )發(fā)生變化,分子泵的轉速由1500Hz改變?yōu)?000Hz,分子泵的壓縮比會(huì )變小,進(jìn)入質(zhì)譜室的氦分壓增加,檢漏儀檢測到氦信號會(huì )變大,試驗中,檢漏儀在1000Hz下的信號是1500Hz信號的3.5倍,也就是說(shuō)分子泵在1500Hz的壓縮比;是1000Hz的3.5倍。
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通用的沉積技術(shù)有化學(xué)氣相淀積(CVD)、蒸發(fā)和濺射PVD。一般來(lái)說(shuō),其中還要夾雜低溫(≤500℃)退火工藝等熱處理工藝,用以增進(jìn)金屬層和半導體之間的低電阻接觸、消除內應力等。設備運行過(guò)程中需要高潔凈的真空環(huán)境,一般采用以磁懸浮分子泵為主的無(wú)油真空系統。
刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過(guò)程??涛g的基本目標是在涂膠的硅片上正確地掩膜圖形?,F代化的干法刻蝕設備包括復雜的機械、電氣和真空系統,同時(shí)配有自動(dòng)化的刻蝕終點(diǎn)檢測和控制裝置??涛g應用工況復雜,清潔性差,充入特種氣體種類(lèi)繁多,因此需要特殊處理的干泵和磁懸浮分子泵。
離子注入設備:離子注入是指在真空環(huán)境下,當離子束射向固體材料時(shí),受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái),并很終停留在固體材料中的現象。離子注入是半導體表面附近區域進(jìn)行摻雜的主要技術(shù),其目的是改變半導體的載流子濃度和導電類(lèi)型。離子注入機是集成電路制造工序中的關(guān)鍵設備,需要高清潔的真空環(huán)境,以保證離子摻雜濃度和劑量的準確性。
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